SI3590DV-T1-E3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TSOP-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.5 A, 1.7 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

77 mOhms, 170 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

600 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

12 V

Qg - 게이트 차지:

3 nC, 3.8 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

0.83 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

시리즈:

SI3

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

10 S, 5 S

가을 시간:

7 ns, 20 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

12 ns, 15 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

13 ns, 20 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

5 ns, 5 ns

부품 번호 별칭:

SI3590DV-T1

단위 무게:

0.000705 oz

Tags

SI3590DV-T, SI3590D, SI359, SI35, SI3