2N3036

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-39-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

80 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

120 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

최대 DC 수집기 전류:

1.2 A

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2N3036

DC 전류 이득 hFE 최대:

35

키:

6.6 mm

길이:

9.4 mm

너비:

9.4 mm

상표:

중앙반도체

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

20

Pd - 전력 손실:

800 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

2N30, 2N3