RUM002N05T2L

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-723-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

50 V

Id - 연속 드레인 전류:

200 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.2 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

300 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

150 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

RUM002N05

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

로옴 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

400 ms

가을 시간:

55 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

6 ns

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

15 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4 ns

부품 번호 별칭:

RUM002N05

Tags

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