RV2C010UNT2L

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

DFN-1006-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

1 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

470 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

300 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

400 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

RV2C010UN

트랜지스터 유형:

1 N-Channel Power MOSFET

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

15 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

5 ns

부품 번호 별칭:

RV2C010UN

Tags

RV2C010, RV2C01, RV2C0, RV2C, RV2