EMZ8T2R

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

트랜지스터 극성:

NPN, PNP

구성:

듀얼

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

12 V, 50 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

15 V, 60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

7 V

최대 DC 수집기 전류:

0.15 A

이득 대역폭 곱 fT:

180 MHz, 260 MHz

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

EMZ8

DC 전류 이득 hFE 최대:

120 at 1 mA, 6 V

키:

0.5 mm

길이:

1.6 mm

포장:

릴

너비:

1.2 mm

상표:

로옴 반도체

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

120

Pd - 전력 손실:

150 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

EMZ8

Tags

EMZ8, EMZ