RM4N650T2

제품 속성

속성 값

제조사:

렉트론

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

650 V

Id - 연속 드레인 전류:

4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.2 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

10 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

46 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

렉트론

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

4 S

가을 시간:

8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

3 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

48 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

6 ns

Tags

RM4N6, RM4N, RM4