TSM60NB099PW C1G

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

38 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

86 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

62 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

329 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

트랜지스터 유형:

N-채널 전력 MOSFET

상표:

대만 반도체

가을 시간:

25 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

24 ns

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

87 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

18 ns

Tags

TSM60NB09, TSM60NB0, TSM60NB, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM