APT20M11JLL

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

SOT-227-4

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

구성:

하나의

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

9 ns

Id - 연속 드레인 전류:

176 A

작동 공급 전압:

133 V

Pd - 전력 손실:

694 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

11 mOhms

상승 시간:

65 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

55 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

24 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

200 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

APT20M11, APT20M1, APT20M, APT20, APT2, APT