VP3203N3-G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

650 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

1 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

740 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

대부분

키:

5.33 mm

길이:

5.21 mm

제품:

MOSFET 소신호

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

유형:

FET

너비:

4.19 mm

상표:

마이크로칩 기술

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

1000 mmho

가을 시간:

25 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

단위 무게:

0.016000 oz

Tags

VP3203N3-G, VP3203N3, VP3203N, VP3203, VP320, VP32, VP3