NTJD4158CT1G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-363-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V, 20 V

Id - 연속 드레인 전류:

250 mA, 880 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

800 mV, 450 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V, - 2.5 V

Qg - 게이트 차지:

0.9 nC, 2.2 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

270 mW

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.9 mm

길이:

2 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

NTJD4158C

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

너비:

1.25 mm

상표:

온세미컨덕터

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

0.08 S, 3 S

가을 시간:

78 ns, 3.5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

66 ns, 6.5 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

56 ns, 13.5 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

15 ns, 5.8 ns

단위 무게:

0.000988 oz

Tags

NTJD4158, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ