MJD3055G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

60 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

70 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.1 V

최대 DC 수집기 전류:

10 A

이득 대역폭 곱 fT:

2 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

키:

2.38 mm

길이:

6.73 mm

포장:

튜브

너비:

6.22 mm

상표:

온세미컨덕터

지속적인 수집가 전류:

10 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

20

Pd - 전력 손실:

20 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

75

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

1.410958 oz

Tags

MJD305, MJD30, MJD3, MJD