NSS40301MDR2G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-Narrow-8

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

듀얼

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

40 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

40 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

최대 DC 수집기 전류:

3 A

이득 대역폭 곱 fT:

100 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

NSS40301MD

DC 전류 이득 hFE 최대:

200 at 10 mA, 2 V

키:

1.5 mm

길이:

5 mm

포장:

릴

너비:

4 mm

상표:

온세미컨덕터

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V

Pd - 전력 손실:

783 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.005044 oz

Tags

NSS40301MDR, NSS40301MD, NSS40301, NSS403, NSS40, NSS4, NSS