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TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6
Mfr. #:
TC58NYG0S3HBAI6
제조사:
Toshiba Memory
설명:
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
TC58NYG0S3HBAI6 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
TC58NYG0S3HBAI6 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사:
도시바
제품 카테고리:
낸드 플래시
RoHS:
Y
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
VFBGA-67
메모리 크기:
1 Gbit
인터페이스 유형:
평행 한
조직:
128 M x 8
데이터 버스 폭:
8 bit
공급 전압 - 최소:
1.7 V
공급 전압 - 최대:
1.95 V
공급 전류 - 최대:
30 mA
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 85 C
포장:
쟁반
메모리 유형:
낸드
상표:
도시바 메모리
최대 클록 주파수:
-
습기에 민감한:
네
상품 유형:
낸드 플래시
공장 팩 수량:
338
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
Tags
TC58NYG0, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***akorn
NAND Flash Serial 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
***et
1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
***S
vpe: 253/tray/bga
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
부분 # 제조 설명 재고 가격
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6-ND		Toshiba Semiconductor and Storage ProductsIC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 338:$2.8107
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6		Toshiba America Electronic Components1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG0S3HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 338:$2.1900
  • 676:$2.1900
  • 1352:$2.0900
  • 2028:$2.0900
  • 3380:$2.0900
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # 757-TC58NYG0S3HBAI6		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		338
  • 1:$3.0600
  • 10:$2.7500
  • 50:$2.7000
  • 100:$2.4100
  • 250:$2.3400
  • 500:$2.3300
  • 1000:$2.1700
  • 2500:$2.1300
영상 부분 # 설명
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-TRAY-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG1S8HBAI6JD2

Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6JD2

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6JD2-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG2S0FBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0FBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0FBAI4-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG2S3ETAI0B3H

Mfr.#: TC58NYG2S3ETAI0B3H

OMO.#: OMO-TC58NYG2S3ETAI0B3H-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG3S0FBAID

Mfr.#: TC58NYG3S0FBAID

OMO.#: OMO-TC58NYG3S0FBAID-1190

 신규 및 오리지널
TC58NYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG2S0HBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 Flash Memory 4Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TC58NYG1S3HBAI6-ND

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-ND-1190

 신규 및 오리지널
유효성
재고:
338
주문 시:
2321
수량 입력:
TC58NYG0S3HBAI6의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$2.77
US$2.77
10
US$2.49
US$24.90
25
US$2.45
US$61.25
50
US$2.44
US$122.00
100
US$2.18
US$218.00
250
US$2.11
US$527.50
500
US$2.10
US$1 050.00
1000
US$1.96
US$1 960.00
2500
US$1.87
US$4 675.00
2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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