A2T18S262W12NR3

A2T18S262W12NR3
Mfr. #:
A2T18S262W12NR3
제조사:
NXP Semiconductors
설명:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
A2T18S262W12NR3 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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ECAD Model:
추가 정보:
A2T18S262W12NR3 추가 정보 A2T18S262W12NR3 Product Details
제품 속성
속성 값
제조사:
NXP
제품 카테고리:
RF MOSFET 트랜지스터
RoHS:
Y
트랜지스터 극성:
N-채널
기술:
Id - 연속 드레인 전류:
3.2 A
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
- 500 mV, 65 V
얻다:
19.3 dB
출력 파워:
56 W
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
OM-880X-2
포장:
동작 주파수:
1805 MHz to 1880 MHz
유형:
RF 전력 MOSFET
상표:
NXP반도체
채널 수:
1 Channel
습기에 민감한:
상품 유형:
RF MOSFET 트랜지스터
공장 팩 수량:
250
하위 카테고리:
MOSFET
Vgs - 게이트 소스 전압:
- 6 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
1.4 V
부품 번호 별칭:
935346497528
단위 무게:
0.133706 oz
Tags
A2T18S2, A2T18S, A2T18, A2T1, A2T
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
*** Semiconductors SCT
Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V, FM4F, RoHS
***i-Key
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
부분 # 제조 설명 재고 가격
A2T18S262W12NR3
DISTI # A2T18S262W12NR3-ND
NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 250:$67.6754
A2T18S262W12NR3
DISTI # A2T18S262W12NR3
Avnet, Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1805-1880 MHz, 56 W AVG., 28 V - Tape and Reel (Alt: A2T18S262W12NR3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$64.6900
  • 1500:$65.8900
  • 1000:$68.3900
  • 500:$71.1900
  • 250:$74.0900
A2T18S262W12NR3
DISTI # 771-A2T18S262W12NR3
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
RoHS: Compliant
0
  • 250:$62.9600
영상 부분 # 설명
A2T18S261W12NR3

Mfr.#: A2T18S261W12NR3

OMO.#: OMO-A2T18S261W12NR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T18S260-12SR3

Mfr.#: A2T18S260-12SR3

OMO.#: OMO-A2T18S260-12SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V
A2T18S260W12NR3

Mfr.#: A2T18S260W12NR3

OMO.#: OMO-A2T18S260W12NR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T18S262W12NR3

Mfr.#: A2T18S262W12NR3

OMO.#: OMO-A2T18S262W12NR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T18S260W12NR3

Mfr.#: A2T18S260W12NR3

OMO.#: OMO-A2T18S260W12NR3-NXP-SEMICONDUCTORS

RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1805-1880 MHz, 56 W AVG, 28 V
A2T18S260W12N

Mfr.#: A2T18S260W12N

OMO.#: OMO-A2T18S260W12N-1190

신규 및 오리지널
A2T18S261W12N

Mfr.#: A2T18S261W12N

OMO.#: OMO-A2T18S261W12N-1190

신규 및 오리지널
A2T18S262W12NR3

Mfr.#: A2T18S262W12NR3

OMO.#: OMO-A2T18S262W12NR3-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260-12SR3

Mfr.#: A2T18S260-12SR3

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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S261W12NR3

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OMO.#: OMO-A2T18S261W12NR3-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
유효성
재고:
Available
주문 시:
5500
수량 입력:
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