IXTH12N150

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1.5 kV

Id - 연속 드레인 전류:

12 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

106 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

890 W

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

21.46 mm

길이:

16.26 mm

시리즈:

IXTH12N150

유형:

고전압 전력 MOSFET

너비:

5.3 mm

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

8 S

가을 시간:

14 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

16 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

53 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

26 ns

단위 무게:

0.056438 oz

Tags

IXTH12N1, IXTH12N, IXTH12, IXTH1, IXTH, IXT