US6M2GTR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TUMT-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V, 20 V

Id - 연속 드레인 전류:

1.5 A, 1 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.5 V, 2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

1.6 nC, 2.1 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

6 ns, 10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

9 ns, 8 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

15 ns, 25 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6