TSM70NB1R4CP ROG

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

700 V

Id - 연속 드레인 전류:

3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.1 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

4 V

Qg - 게이트 차지:

7.4 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

28 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

N-채널 전력 MOSFET

상표:

대만 반도체

가을 시간:

8 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

26 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

16 ns

Tags

TSM70, TSM7, TSM