CSD87384M

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PTAB-5

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

30 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

6.4 mOhms, 1.95 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

7.1 nC, 31 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

8 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

넥스펫

포장:

릴

키:

0.45 mm

길이:

5 mm

시리즈:

CSD87384M

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

유형:

동기식 벅 NexFET 전력단

너비:

3.5 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

67 S, 240 S

개발 키트:

CSD87384MEVM-603

가을 시간:

7.6 ns, 8.2 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

56 ns, 49 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

14 ns, 29 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

8.7 ns, 17.5 ns

Tags

CSD87384, CSD8738, CSD873, CSD87, CSD8, CSD