BSM35GB120DN2

BSM35GB120DN2
Mfr. #:
BSM35GB120DN2
제조사:
Infineon Technologies
설명:
IGBT Modules 1200V 35A DUAL
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
BSM35GB120DN2 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
인피니언
제품 카테고리:
IGBT 모듈
RoHS:
N
제품:
IGBT 실리콘 모듈
구성:
하프 브리지
컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:
1200 V
수집기-이미터 포화 전압:
3.2 V
25C에서 연속 수집기 전류:
50 A
게이트-이미터 누설 전류:
150 nA
Pd - 전력 손실:
280 W
패키지/케이스:
Half Bridge1
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
포장:
쟁반
키:
30.5 mm
길이:
94 mm
너비:
34 mm
상표:
인피니언 테크놀로지스
장착 스타일:
섀시 마운트
최대 게이트 이미터 전압:
20 V
상품 유형:
IGBT 모듈
공장 팩 수량:
10
하위 카테고리:
IGBT
부품 번호 별칭:
BSM35GB120DN2HOSA1 SP000100461
Tags
BSM35GB120DN, BSM35GB, BSM35, BSM3, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***omponent
IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area
***ser
IGBT - Standard Modules 1200V 35A DUAL
부분 # 제조 설명 재고 가격
BSM35GB120DN2HOSA1
DISTI # BSM35GB120DN2HOSA1-ND
Infineon Technologies AGIGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Limited Supply - Call
  • 10:$63.2560
BSM 35 GB 120 DN2
DISTI # SP000100461
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 7-Pin 34mm (Alt: SP000100461)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Europe - 0
  • 1:€75.2900
  • 10:€60.8900
  • 25:€55.2900
  • 50:€53.4900
  • 100:€51.6900
  • 500:€50.1900
  • 1000:€49.0900
BSM35GB120DN2HOSA1
DISTI # BSM35GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom - Trays (Alt: BSM35GB120DN2HOSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Americas - 0
  • 10:$54.6900
  • 20:$53.9900
  • 40:$52.5900
  • 60:$51.2900
  • 100:$50.0900
BSM35GB120DN2HOSA1
DISTI # BSM35GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom - Bulk (Alt: BSM35GB120DN2HOSA1)
Min Qty: 7
Container: Bulk
Americas - 0
  • 8:$55.8900
  • 10:$53.8900
  • 18:$51.8900
  • 40:$50.1900
  • 80:$49.2900
BSM35GB120DN2
DISTI # 641-BSM35GB120DN2
Infineon Technologies AGIGBT Modules 1200V 35A DUAL
RoHS: Not compliant
0
    BSM35GB120DN2HOSA1Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
    RoHS: Compliant
    1
    • 1000:$51.1100
    • 500:$53.8000
    • 100:$56.0100
    • 25:$58.4100
    • 1:$62.9000
    영상 부분 # 설명
    BSM35GD120DLCE3224

    Mfr.#: BSM35GD120DLCE3224

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DLCE3224

    IGBT Modules N-CH 1.2KV 70A
    BSM35GP120G

    Mfr.#: BSM35GP120G

    OMO.#: OMO-BSM35GP120G

    IGBT Modules 1200V 35A PIM
    BSM35GB120DN2

    Mfr.#: BSM35GB120DN2

    OMO.#: OMO-BSM35GB120DN2

    IGBT Modules 1200V 35A DUAL
    BSM35GD120DN2BOSA1

    Mfr.#: BSM35GD120DN2BOSA1

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2BOSA1-1190

    Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
    BSM35GD120D2

    Mfr.#: BSM35GD120D2

    OMO.#: OMO-BSM35GD120D2-1190

    신규 및 오리지널
    BSM35GD120DN2 E3224

    Mfr.#: BSM35GD120DN2 E3224

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2-E3224-1190

    신규 및 오리지널
    BSM35GD120DN2(DLC)

    Mfr.#: BSM35GD120DN2(DLC)

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2-DLC--1190

    신규 및 오리지널
    BSM35GD120DN2E3224(6)

    Mfr.#: BSM35GD120DN2E3224(6)

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DN2E3224-6--1190

    신규 및 오리지널
    BSM35GD120ND2

    Mfr.#: BSM35GD120ND2

    OMO.#: OMO-BSM35GD120ND2-1190

    신규 및 오리지널
    BSM35GD120DLCE3224BOSA1

    Mfr.#: BSM35GD120DLCE3224BOSA1

    OMO.#: OMO-BSM35GD120DLCE3224BOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
    유효성
    재고:
    Available
    주문 시:
    4000
    수량 입력:
    BSM35GB120DN2의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
    참고 가격(USD)
    수량
    단가
    내선 가격
    10
    US$63.68
    US$636.80
    30
    US$62.43
    US$1 872.90
    100
    US$57.85
    US$5 785.00
    2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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