APT11N80KC3G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

800 V

Id - 연속 드레인 전류:

11 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

390 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

60 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

156 W

채널 모드:

상승

키:

9.66 mm

길이:

10.66 mm

너비:

4.82 mm

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

가을 시간:

7 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

15 ns

공장 팩 수량:

127

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

70 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

25 ns

단위 무게:

0.211644 oz

Tags

APT11N, APT11, APT1, APT