STP3NK80Z

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

800 V

Id - 연속 드레인 전류:

2.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

4.5 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

19 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

70 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

슈퍼메시

키:

9.15 mm

길이:

10.4 mm

시리즈:

STP3NK80Z

트랜지스터 유형:

1 N-Channel Power MOSFET

유형:

MOSFET

너비:

4.6 mm

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

가을 시간:

40 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

27 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

36 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

17 ns

단위 무게:

0.070548 oz

Tags

STP3NK8, STP3NK, STP3N, STP3, STP