ZXT12N50DXTA

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

MSOP-8

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

듀얼

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

50 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

100 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

7.5 V

수집기-이미터 포화 전압:

135 mV

최대 DC 수집기 전류:

3 A

이득 대역폭 곱 fT:

132 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

ZXT12

DC 전류 이득 hFE 최대:

250 at 10 mA, 2 V

키:

0.95 mm

길이:

3.1 mm

포장:

릴

너비:

3.1 mm

상표:

다이오드 주식회사

지속적인 수집가 전류:

3 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V

Pd - 전력 손실:

870 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.004938 oz

Tags

ZXT12N50DXT, ZXT12N5, ZXT12N, ZXT12, ZXT1, ZXT