FQI4N20TU

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-262-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

200 V

Id - 연속 드레인 전류:

3.6 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.4 Ohms

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3.13 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

7.88 mm

길이:

10.29 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

4.83 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

가을 시간:

25 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

50 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

7 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

7 ns

단위 무게:

0.084199 oz

Tags

FQI4N20T, FQI4N20, FQI4N2, FQI4N, FQI4, FQI