APT21M100J

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

섀시 마운트

패키지/케이스:

SOT-227-4

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1 kV

Id - 연속 드레인 전류:

21 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

380 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

260 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

462 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

8.9 mm

길이:

38 mm

제품:

MOSFET

유형:

파워 MOSFET

너비:

25.2 mm

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

34 S

가을 시간:

33 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

35 ns

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

130 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

39 ns

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

APT2, APT