FQD4P25TM-WS

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

250 V

Id - 연속 드레인 전류:

3.1 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.1 Ohms

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

45 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

QFET

포장:

릴

키:

2.39 mm

길이:

6.73 mm

시리즈:

FQD4P25TM_WS

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

너비:

6.22 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

가을 시간:

27 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

60 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

14 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9.5 ns

부품 번호 별칭:

FQD4P25TM_WS

단위 무게:

0.009184 oz

Tags

FQD4P25TM, FQD4P25T, FQD4P2, FQD4P, FQD4, FQD