RQ3E180BNTB

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

HSMT-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

39 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.8 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

72 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

20 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

79 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

63 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

138 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

14 ns

부품 번호 별칭:

RQ3E180BN

Tags

RQ3E180B, RQ3E18, RQ3E1, RQ3E, RQ3