BSM120D12P2C005

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 반도체 모듈

유형:

SiC 파워 MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 6 V, 22 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

기준 치수

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

BSMx

포장:

대부분

구성:

하프 브리지

키:

21.1 mm

길이:

122 mm

너비:

45.6 mm

상표:

로옴 반도체

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

일반적인 지연 시간:

45 ns

가을 시간:

60 ns

Id - 연속 드레인 전류:

134 A

Pd - 전력 손실:

935 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

상승 시간:

50 ns

공장 팩 수량:

12

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

170 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

45 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1200 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.6 V

부품 번호 별칭:

BSM120D12P2C005

단위 무게:

9.856004 oz

Tags

BSM1, BSM