STS9P2UH7

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

9 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

22.5 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

400 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

8 V

Qg - 게이트 차지:

22 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2.7 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

시리즈:

STS9P2UH7

트랜지스터 유형:

1 P-Channel

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

가을 시간:

84.5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

30.5 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

128 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12.5 ns

단위 무게:

0.017870 oz

Tags

STS9, STS