ISL6608CBZ

제품 속성

속성 값

제조사:

르네사스 전자

제품 카테고리:

게이트 드라이버

RoHS:

Y

제품:

MOSFET 게이트 드라이버

유형:

하이 사이드, 로우 사이드

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-Narrow-8

드라이버 수:

2 Driver

출력 수:

2 Output

출력 전류:

4 A

상승 시간:

8 ns

가을 시간:

8 ns

공급 전압 - 최소:

4.5 V

공급 전압 - 최대:

5.5 V

전파 지연 - 최대:

35 ns

작동 공급 전류:

80 uA

Pd - 전력 손실:

800 mW

최소 작동 온도:

0 C

최대 작동 온도:

+ 70 C

시리즈:

ISL6608

포장:

튜브

특징:

동기

키:

1.5 mm

길이:

5 mm

기술:

시

너비:

4 mm

상표:

르네사스 / 인터실

일시 휴업:

일시 휴업

최대 클록 주파수:

2 MHz

습기에 민감한:

네

작동 공급 전압:

5 V

상품 유형:

게이트 드라이버

Rds On - 드레인 소스 저항:

500 mOhms

공장 팩 수량:

98

하위 카테고리:

PMIC - 전원 관리 IC

단위 무게:

0.002540 oz

Tags

ISL6608C, ISL6608, ISL660, ISL66, ISL6, ISL