2N5551RL1G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

160 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

180 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

0.25 V

최대 DC 수집기 전류:

0.6 A

이득 대역폭 곱 fT:

300 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2N5551

키:

5.33 mm

길이:

5.2 mm

포장:

릴

너비:

4.19 mm

상표:

온세미컨덕터

지속적인 수집가 전류:

0.6 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

80

Pd - 전력 손실:

625 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

2000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

2N5551R, 2N5551, 2N555, 2N55, 2N5