2N6551

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-202-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

60 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

수집기-이미터 포화 전압:

1 V

최대 DC 수집기 전류:

2 A

이득 대역폭 곱 fT:

375 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2N6551

DC 전류 이득 hFE 최대:

300 at 50 mA, 1 V

포장:

대부분

상표:

중앙반도체

지속적인 수집가 전류:

1 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

25 at 500 mA, 1 V

Pd - 전력 손실:

10 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

2N6551 PBFREE

Tags

2N655, 2N65, 2N6