ZTX855

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

150 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

250 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

210 mV

최대 DC 수집기 전류:

4 A

이득 대역폭 곱 fT:

90 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

ZTX855

키:

4.01 mm

길이:

4.77 mm

포장:

대부분

너비:

2.41 mm

상표:

다이오드 주식회사

지속적인 수집가 전류:

4 A

Pd - 전력 손실:

1.2 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

4000

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.016000 oz

Tags

ZTX855, ZTX85, ZTX8, ZTX