FDMS3660AS

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

Power-56-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

13 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

11 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.5 V, 2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

12 V, 20 V

Qg - 게이트 차지:

21 nC, 64 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2.2 W, 2.5 W

구성:

듀얼

상표명:

파워 스테이지 파워트렌치

포장:

릴

키:

1.1 mm

길이:

6 mm

시리즈:

FDMS3660AS

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

5 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

173 S, 240 S

가을 시간:

3 ns, 5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

3 ns, 5 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

21 ns, 38 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

9 ns, 12 ns

단위 무게:

0.006032 oz

Tags

FDMS3660, FDMS366, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM