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SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4943BDY-T1-GE3
제조사:
Vishay
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI4943BDY-T1-GE3 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
SI4943BDY-T1-GE3 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 실리콘
제품 카테고리
FET - 어레이
시리즈
트렌치FETR
포장
테이프 및 릴(TR)
부분 별칭
SI4943BDY-GE3
단위 무게
0.006596 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술
시
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착형
표면 실장
채널 수
2 Channel
공급자-장치-패키지
8-SO
구성
듀얼
FET형
2 P-Channel (Dual)
파워맥스
1.1W
트랜지스터형
2 P-Channel
드레인-소스 전압 Vdss
20V
입력-커패시턴스-Ciss-Vds
-
FET 기능
로직 레벨 게이트
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
6.3A
Rds-On-Max-Id-Vgs
19 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
25nC @ 5V
Pd 전력 손실
1.1 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
10 ns
상승 시간
10 ns
Vgs 게이트 소스 전압
20 V
Id-연속-드레인-전류
6.3 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
19 mOhms
트랜지스터 극성
P-채널
일반 꺼짐 지연 시간
94 ns
일반 켜기 지연 시간
11 ns
채널 모드
상승
Tags
SI4943BDY-T, SI4943B, SI4943, SI494, SI49, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
***nell
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A
***ment14 APAC
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-6.3A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-20V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI4943BDY-T1-GE3
DISTI # SI4943BDY-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.9950
SI4943BDY-T1-GE3
DISTI # SI4943BDY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4943BDY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
    SI4943BDY-T1-GE3
    DISTI # 26R1900    		Vishay IntertechnologiesDUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A,Transistor Polarity:Dual P Channel,Continuous Drain Current Id:-8.4A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):0.019ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V,Threshold Voltage Vgs:-1V RoHS Compliant: Yes0
      SI4943BDY-T1-GE3
      DISTI # 15R5133      		Vishay IntertechnologiesDUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A,Transistor Polarity:Dual P Channel,Continuous Drain Current Id:-8.4A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):0.019ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V,Threshold Voltage Vgs:-1V RoHS Compliant: Yes0
        SI4943BDY-T1-GE3
        DISTI # 781-SI4943BDY-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
        RoHS: Compliant        		0
        • 1:$2.0900
        • 10:$1.7300
        • 100:$1.3400
        • 500:$1.1800
        • 1000:$0.9720
        • 2500:$0.9050
        • 5000:$0.8720
        영상 부분 # 설명
        SI4943BDY-T1-E3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-E3

        		 MOSFET 20V 8.4A 2W
        SI4943BDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-GE3

        		 MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
        SI4943BDY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
        SI4943BDY-T1-E3-CUT TAPE

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-E3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-E3-CUT-TAPE-1190

        		 신규 및 오리지널
        SI4943BDY

        Mfr.#: SI4943BDY

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-1190

        		 신규 및 오리지널
        SI4943BDY(R301)

        Mfr.#: SI4943BDY(R301)

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-R301--1190

        		 신규 및 오리지널
        SI4943BDY-T1-E3

        Mfr.#: SI4943BDY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4943BDY-T1-E3-VISHAY

        		 MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
        유효성
        재고:
        Available
        주문 시:
        4000
        수량 입력:
        SI4943BDY-T1-GE3의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
        참고 가격(USD)
        수량
        단가
        내선 가격
        1
        US$1.31
        US$1.31
        10
        US$1.24
        US$12.43
        100
        US$1.18
        US$117.72
        500
        US$1.11
        US$555.90
        1000
        US$1.05
        US$1 046.40
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