APT45GP120J

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

Y

기술:

시

패키지/케이스:

SOT-227-4

장착 스타일:

섀시 마운트

구성:

N-채널

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

1.2 kV

수집기-이미터 포화 전압:

3.3 V

최대 게이트 이미터 전압:

20 V

25C에서 연속 수집기 전류:

34 A

Pd - 전력 손실:

329 W

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

연속 수집가 현재 IC 최대:

75 A

키:

9.6 mm

길이:

38.2 mm

작동 온도 범위:

- 55 C to + 150 C

너비:

25.4 mm

상표:

마이크로칩 / 마이크로세미

지속적인 수집가 전류:

75 A

게이트-이미터 누설 전류:

100 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

IGBT

상표명:

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

단위 무게:

1.058219 oz

Tags

APT45GP120J, APT45GP, APT45G, APT45, APT4, APT