IXZR18N50B-00

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Id - 연속 드레인 전류:

19 A

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Rds On - 드레인 소스 저항:

370 mOhms

출력 파워:

350 W

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

포장:

튜브

시리즈:

IXZR18

유형:

RF 전력 MOSFET

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

6.7 S

채널 수:

1 Channel

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

Qg - 게이트 차지:

42 nC

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.6 V

Tags

IXZR18, IXZR1, IXZR, IXZ