IS49NLS18320A-18WBL

IS49NLS18320A-18WBL
Mfr. #:
IS49NLS18320A-18WBL
제조사:
ISSI
설명:
DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Seperate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS, wBGA
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IS49NLS18320A-18WBL 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
ISSI
제품 카테고리:
적은 양
RoHS:
Y
유형:
RLDRAM2
데이터 버스 폭:
18 bit
조직:
32 M x 18
패키지/케이스:
WBGA-144
메모리 크기:
576 Mbit
최대 클록 주파수:
533 MHz
액세스 시간:
15 ns
공급 전압 - 최대:
2.63 V
공급 전압 - 최소:
1.7 V
공급 전류 - 최대:
545 mA
최소 작동 온도:
0 C
최대 작동 온도:
+ 95 C
시리즈:
IS49NLS18320A
상표:
ISSI
장착 스타일:
SMD/SMT
상품 유형:
적은 양
공장 팩 수량:
104
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
상표명:
RLDRAM2
Tags
IS49NLS18320A, IS49NLS183, IS49NLS1, IS49NLS, IS49N, IS49, IS4
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
영상 부분 # 설명
IS49NLS18320A-25WBL

Mfr.#: IS49NLS18320A-25WBL

OMO.#: OMO-IS49NLS18320A-25WBL

DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 400MHz RLDRAM2
IS49NLS18160-33WBLI

Mfr.#: IS49NLS18160-33WBLI

OMO.#: OMO-IS49NLS18160-33WBLI

DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
IS49NLS18160-25WBLI

Mfr.#: IS49NLS18160-25WBLI

OMO.#: OMO-IS49NLS18160-25WBLI

DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz RLDRAM2
IS49NLS18320-33BI

Mfr.#: IS49NLS18320-33BI

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DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded IT
IS49NLS18320-33B

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DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded
IS49NLS18320-25BI

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DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded IT
IS49NLS18160-33B

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DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded
IS49NLS18160-33BL

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DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
IS49NLS18320-33BL

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DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
IS49NLS18320A-33WBL

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OMO.#: OMO-IS49NLS18320A-33WBL-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ
유효성
재고:
Available
주문 시:
4500
수량 입력:
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