IPB025N10N3GE818XT

IPB025N10N3GE818XT
Mfr. #:
IPB025N10N3GE818XT
제조사:
Infineon Technologies
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IPB025N10N3GE818XT 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
인피니언 테크놀로지스
제품 카테고리
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
시리즈
IPB025N10
포장
부분 별칭
IPB025N10N3GE8187ATMA1 SP000939338
단위 무게
0.056438 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
TO-263-7
기술
채널 수
1 Channel
구성
하나의
트랜지스터형
1 N-Channel
Pd 전력 손실
300 W
최대 작동 온도
+ 175 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
28 ns
상승 시간
58 ns
Vgs 게이트 소스 전압
20 V
Id-연속-드레인-전류
180 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
100 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
2.5 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
일반 꺼짐 지연 시간
84 ns
Qg-Gate-Charge
155 nC
Tags
IPB025N10N3GE, IPB025N1, IPB025, IPB02, IPB0, IPB
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Packaging Boxes
부분 # 제조 설명 재고 가격
IPB025N10N3GE818XT
DISTI # 726-IPB025N10N3GEMA1
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
RoHS: Compliant
0
    영상 부분 # 설명
    IPB025N10N3 G

    Mfr.#: IPB025N10N3 G

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3-G

    MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
    IPB025N10N3GATMA1

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    OMO.#: OMO-IPB025N10N3GATMA1

    MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
    IPB025N10N3 G

    Mfr.#: IPB025N10N3 G

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3-G-1190

    MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
    IPB025N10N3G

    Mfr.#: IPB025N10N3G

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3G-1190

    Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB025N10N3 G)
    IPB025N10N3G , 2SD1824

    Mfr.#: IPB025N10N3G , 2SD1824

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3G-2SD1824-1190

    신규 및 오리지널
    IPB025N10N3GATMA1

    Mfr.#: IPB025N10N3GATMA1

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3GATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    IPB025N10N3GE8187ATMA1

    Mfr.#: IPB025N10N3GE8187ATMA1

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3GE8187ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    IPB025N10N3GE8197ATMA1

    Mfr.#: IPB025N10N3GE8197ATMA1

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3GE8197ATMA1-1190

    - Bulk (Alt: IPB025N10N3GE8197ATMA1)
    IPB025N10N3GE818XT

    Mfr.#: IPB025N10N3GE818XT

    OMO.#: OMO-IPB025N10N3GE818XT-317

    RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
    유효성
    재고:
    Available
    주문 시:
    3000
    수량 입력:
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