SIZF918DT-T1-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PowerPAIR-6x5F-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, NPN

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

40 A, 60 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

6.8 mOhms, 2.7 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.1 V, 1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

14.6 nC, 37 nC

최소 작동 온도:

- 50 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

26.6 W, 50 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

포장:

릴

시리즈:

사이즈

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

53 S, 87 S

가을 시간:

10 ns, 10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

45 ns, 55 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

20 ns, 30 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

17 ns, 22 ns

Tags

SIZF91, SIZF9, SIZF, SiZ