ATF-331M4-TR2

제품 속성

속성 값

제조사:

브로드컴 리미티드

제품 카테고리:

RF JFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 유형:

pHEMT

기술:

GaAs

얻다:

15 dB

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

5.5 V

Vgs - 게이트 소스 항복 전압:

- 5 V

Id - 연속 드레인 전류:

305 mA

최대 드레인 게이트 전압:

- 5 V

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 160 C

Pd - 전력 손실:

400 mW

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

미니팩

포장:

릴

구성:

단일 듀얼 소스

키:

0.7 mm

길이:

1.44 mm

동작 주파수:

2 GHz

제품:

RF JFET

유형:

GaAs pHEMT

너비:

1.2 mm

상표:

브로드컴/아바고

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

440 mmho

NF - 노이즈 피겨:

0.6 dB

P1dB - 압축점:

19 dBm

상품 유형:

RF JFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

10000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

ATF-331M4-T, ATF-331M, ATF-33, ATF-3, ATF