HGTD10N40F1

HGTD10N40F1
Mfr. #:
HGTD10N40F1
제조사:
Harris Semiconductor
설명:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
HGTD10N40F1 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
Tags
HGTD10, HGTD1, HGTD, HGT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key Marketplace
10A, 400V N-CHANNEL IGBT
***el Nordic
Contact for details
부분 # 제조 설명 재고 가격
HGTD10N40F1Harris SemiconductorInsulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA
RoHS: Not Compliant
417
  • 1000:$0.8300
  • 500:$0.8700
  • 100:$0.9100
  • 25:$0.9500
  • 1:$1.0200
HGTD10N40F1SHarris SemiconductorInsulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
RoHS: Not Compliant
1045
  • 1000:$0.8300
  • 500:$0.8700
  • 100:$0.9100
  • 25:$0.9500
  • 1:$1.0200
영상 부분 # 설명
HGTD1N120BNS9A

Mfr.#: HGTD1N120BNS9A

OMO.#: OMO-HGTD1N120BNS9A

IGBT Transistors 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
HGTD1N120BNS9A

Mfr.#: HGTD1N120BNS9A

OMO.#: OMO-HGTD1N120BNS9A-ON-SEMICONDUCTOR

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
HGTD10N40F1

Mfr.#: HGTD10N40F1

OMO.#: OMO-HGTD10N40F1-1190

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA
HGTD10N40F1S

Mfr.#: HGTD10N40F1S

OMO.#: OMO-HGTD10N40F1S-1190

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD10N50F1

Mfr.#: HGTD10N50F1

OMO.#: OMO-HGTD10N50F1-1190

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA
HGTD10N50F1S

Mfr.#: HGTD10N50F1S

OMO.#: OMO-HGTD10N50F1S-1190

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD14N05B

Mfr.#: HGTD14N05B

OMO.#: OMO-HGTD14N05B-1190

신규 및 오리지널
HGTD1N120B

Mfr.#: HGTD1N120B

OMO.#: OMO-HGTD1N120B-1190

신규 및 오리지널
HGTD1N120BNS

Mfr.#: HGTD1N120BNS

OMO.#: OMO-HGTD1N120BNS-1190

IGBT Transistors NPTPIGBT TO252 5.3A 1200V
HGTD1N120BNS 1N120B

Mfr.#: HGTD1N120BNS 1N120B

OMO.#: OMO-HGTD1N120BNS-1N120B-1190

신규 및 오리지널
유효성
재고:
Available
주문 시:
5500
수량 입력:
HGTD10N40F1의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$1.24
US$1.24
10
US$1.18
US$11.83
100
US$1.12
US$112.05
500
US$1.06
US$529.15
1000
US$1.00
US$996.00
2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
시작
Top