HFA3096BZ

제품 속성

속성 값

제조사:

르네사스 전자

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

패키지/케이스:

SOIC-Narrow-16

트랜지스터 극성:

NPN, PNP

구성:

퀸트

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

8 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

12 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5.5 V

최대 DC 수집기 전류:

0.065 A

이득 대역폭 곱 fT:

8000 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

시리즈:

HFA3096

키:

1.5 mm

길이:

10 mm

포장:

튜브

너비:

4 mm

상표:

르네사스 / 인터실

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

40 at 10 mA, 2 V at NPN, 20 at 10 mA, 2 V at PNP

습기에 민감한:

네

Pd - 전력 손실:

150 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

48

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.004938 oz

Tags

HFA3096BZ, HFA3096B, HFA309, HFA30, HFA3, HFA