IXTH86N25T

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

트렌치 게이트

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

튜브

구성:

하나의

상표:

익시스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

25 ns

Id - 연속 드레인 전류:

86 A

Pd - 전력 손실:

540 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

37 mOhms

상승 시간:

28 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

HiPerFET

일반적인 끄기 지연 시간:

55 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

22 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

250 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Tags

IXTH8, IXTH, IXT