IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
Mfr. #:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
제조사:
ISSI
설명:
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
추가 정보:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사:
ISSI
제품 카테고리:
스램
RoHS:
Y
메모리 크기:
16 Mbit
조직:
1 M x 16
액세스 시간:
70 ns
인터페이스 유형:
평행 한
공급 전압 - 최대:
3.6 V
공급 전압 - 최소:
2.7 V
공급 전류 - 최대:
30 mA
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 85 C
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
TFBGA-48
포장:
메모리 유형:
SDR
시리즈:
IS66WVE1M16EBLL
유형:
비동기
상표:
ISSI
습기에 민감한:
상품 유형:
스램
공장 팩 수량:
2500
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
Tags
IS66WVE1M16E, IS66WVE1, IS66WVE, IS66WV, IS66W, IS66, IS6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
PSRAM Async 16Mbit 1M X 16 70ns 48-Pin TFBGA T/R
***ark
16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V
***i-Key
IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
Pseudo SRAM/CellularRAM
ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has a SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature which does not require physical refresh. These CellularRAM devics are designed in accordance to the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.
영상 부분 # 설명
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Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-70BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

SRAM 16Mb Pseudo SRAM Asynch/Page
IS66WVE1M16EBLL-70BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-70BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-70BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
IS66WVE1M16EBLL-55BLI

Mfr.#: IS66WVE1M16EBLL-55BLI

OMO.#: OMO-IS66WVE1M16EBLL-55BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

SRAM 16Mb Pseudo SRAM Asynch/Page
유효성
재고:
Available
주문 시:
3000
수량 입력:
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
참고 가격(USD)
수량
단가
내선 가격
1
US$3.25
US$3.25
10
US$2.86
US$28.60
100
US$2.56
US$256.00
500
US$2.46
US$1 230.00
1000
US$2.19
US$2 190.00
2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
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