F423MR12W1M1B11BOMA1

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

CoolSiC MOSFET

Vf - 순방향 전압:

4.6 V at 50 A

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 10 V, 20 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

AG-EASY1BM-2

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

쟁반

구성:

포팩

상표:

인피니언 테크놀로지스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

11.5 ns

Id - 연속 드레인 전류:

50 A

Pd - 전력 손실:

20 mW

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

22.5 mOhms

상승 시간:

8.4 ns

공장 팩 수량:

24

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

EasyPACK CoolSiC MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

49.4 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

14.3 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1200 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.45 V

부품 번호 별칭:

F4-23MR12W1M1_B11 SP001710600

Tags

F423, F42