FGH40T65SHDF_F155

Mfr. #:: FGH40T65SHDF_F155
제조사:: Fairchild Semiconductor
설명:: IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: FGH40T65SHDF_F155 데이터 시트
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ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사: 페어차일드 반도체

제품 카테고리: IGBT - 싱글

시리즈: -

포장: 튜브

단위 무게: 0.225401 oz

장착 스타일: 구멍을 통해

패키지 케이스: TO-247-3

입력 유형: 기준

장착형: 구멍을 통해

공급자-장치-패키지: TO-247-3

구성: 하나의

파워맥스: 268W

역복구-시간-trr: 101ns

전류 수집기 Ic-Max: 80A

Voltage-Collector-Emitter-Breakdown-Max: 650V

IGBT형: 현장 정지

전류 수집기 펄스 Icm: 120A

Vce-on-Max-Vge-Ic: 1.81V @ 15V, 40A

스위칭 에너지: 1.22mJ (on), 440μJ (off)

게이트 차지: 68nC

Td-on-off-25°C: 18ns/64ns

시험조건: 400V, 40A, 6 Ohm, 15V

Pd 전력 손실: 268 W

최대 작동 온도: + 175 C

최소 작동 온도: - 55 C

컬렉터-이미터-전압-VCEO-최대: 650 V

컬렉터-이미터-포화-전압: 1.45 V

연속 수집기 전류 at-25-C: 80 A

게이트 이미 터 누설 전류: 400 nA

최대 게이트 이미 터 전압: 30 V

연속 수집기 전류 Ic-Max: 80 A

Tags: FGH40T65SHDF, FGH40T65SHD, FGH40T65SH, FGH40T65S, FGH40T6, FGH40T, FGH40, FGH4, FGH

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Vacuum Packaging with PL

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Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
FGH40T65SHDF-F155 DISTI # FGH40T65SHDF-F155-ND	ON Semiconductor	IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tube	450In Stock	1350:$2.4476 900:$2.9021 450:$3.2343 10:$4.1610 1:$4.6300
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	Mfr.#: FGH40T65UPD OMO.#: OMO-FGH40T65UPD	IGBT Transistors 650 V 80 A 268 W
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	Mfr.#: FGH40T65SHDF OMO.#: OMO-FGH40T65SHDF-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: FGH40T65SHDF-F155 OMO.#: OMO-FGH40T65SHDF-F155-ON-SEMICONDUCTOR	IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
	Mfr.#: FGH40T65SH_F155 OMO.#: OMO-FGH40T65SH-F155-1190	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: FGH40T65SH-F155)
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	Mfr.#: FGH40T65SPD-F155 OMO.#: OMO-FGH40T65SPD-F155-ON-SEMICONDUCTOR	IGBT 650V 80A 267W TO-247

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500: ~~US$1.90~~; ~~US$951.00~~

1000: ~~US$1.79~~; ~~US$1 790.20~~

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