2SB1216T-E

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-251-3

트랜지스터 극성:

NPN, PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

100 V, - 100 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

120 V, - 120 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

150 mV, - 200 mV

최대 DC 수집기 전류:

8 A, - 8 A

이득 대역폭 곱 fT:

180 MHz, 130 MHz

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2SB1216

포장:

대부분

상표:

온세미컨덕터

지속적인 수집가 전류:

4 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

70

Pd - 전력 손실:

1 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.139332 oz

Tags

2SB1216T, 2SB1216, 2SB121, 2SB12, 2SB1, 2SB