DMN3016LFDE-13

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

U-DFN2020-E-6

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

10 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

16 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

25.1 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

2.02 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.6 mm

길이:

2 mm

제품:

향상 모드 MOSFET

시리즈:

DMN3016

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

향상 모드 MOSFET

너비:

2 mm

상표:

다이오드 주식회사

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

-

가을 시간:

5.6 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

16.5 ns

공장 팩 수량:

10000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

26.1 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4.8 ns

Tags

DMN3016LFDE, DMN3016LFD, DMN3016LF, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN