HIP2101IBZT7A

제품 속성

속성 값

제조사:

르네사스 전자

제품 카테고리:

게이트 드라이버

RoHS:

Y

제품:

MOSFET 게이트 드라이버

유형:

하프 브리지

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOIC-8

드라이버 수:

1 Driver

상승 시간:

10 ns

가을 시간:

10 ns

공급 전압 - 최소:

9 V

공급 전압 - 최대:

14 V

작동 공급 전류:

3.4 mA

Pd - 전력 손실:

1.3 W

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

HIP2101

포장:

릴

출력 전압:

0.4 V

기술:

시

상표:

르네사스 / 인터실

꺼짐 시간 - 최대:

10 ns

최대 끄기 지연 시간:

56 ns

최대 켜기 지연 시간:

56 ns

작동 공급 전압:

9 VDC to 14 VDC

상품 유형:

게이트 드라이버

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

PMIC - 전원 관리 IC

단위 무게:

0.002540 oz

Tags

HIP2101IBZT, HIP2101IBZ, HIP2101IB, HIP2101I, HIP2101, HIP210, HIP21, HIP2, HIP