DMN3016LDN-7

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

V-DFN3030-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

7.3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

24 mOhms, 24 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

25.1 nC, 25.1 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.6 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.8 mm

길이:

3 mm

제품:

향상 모드 MOSFET

시리즈:

DMN3016

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

유형:

향상 모드 MOSFET

너비:

3 mm

상표:

다이오드 주식회사

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

-

가을 시간:

5.6 ns, 5.6 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

16.5 ns, 16.5 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

26.1 ns, 26.1 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4.8 ns, 4.8 ns

Tags

DMN3016LDN, DMN3016LD, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN